DTD713ZE Todos los transistores

 

DTD713ZE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTD713ZE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: EMT3
 

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DTD713ZE Datasheet (PDF)

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DTD713ZE

200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD713ZE / DTD713ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD713ZE1.6 0.70.550.3 Feature ( )31) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( )2 1an inverter circuit without connecting external 0.2 0.2

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