DTD713ZE Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTD713ZE
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 260 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 140
Encapsulados: EMT3
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DTD713ZE datasheet
dtd713ze.pdf
200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD713ZE / DTD713ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD713ZE 1.6 0.7 0.55 0.3 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( ) 2 1 an inverter circuit without connecting external 0.2 0.2
Otros transistores... DTD523YE , DTD523YM , DTD543EE , DTD543EM , DTD543XE , DTD543XM , DTD543ZE , DTD543ZM , C3198 , DTD713ZM , DTD723YE , DTD723YM , DTD743EE , DTD743EM , DTD743XE , DTD743XM , DTD743ZE .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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