DTD713ZE - описание и поиск аналогов

 

DTD713ZE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTD713ZE

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: EMT3

 Аналоги (замена) для DTD713ZE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD713ZE даташит

 ..1. Size:178K  rohm
 dtd713ze.pdf pdf_icon

DTD713ZE

200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD713ZE / DTD713ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD713ZE 1.6 0.7 0.55 0.3 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( ) 2 1 an inverter circuit without connecting external 0.2 0.2

Другие транзисторы: DTD523YE, DTD523YM, DTD543EE, DTD543EM, DTD543XE, DTD543XM, DTD543ZE, DTD543ZM, C3198, DTD713ZM, DTD723YE, DTD723YM, DTD743EE, DTD743EM, DTD743XE, DTD743XM, DTD743ZE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.