DTDG23YP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTDG23YP
Código: E02
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: MPT3
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DTDG23YP Datasheet (PDF)
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DTDG23YP Transistors 1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode) DTDG23YP Applications External dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver MPT34.51.5 Features 1.61) High DC current gain. (Min. 300 at VO / IO=2V / 0.5A) 2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at IO / II=500mA / 5mA) (1) (2) (3)3) Built-in zener diode gives strong protection aga
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
