DTDG23YP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DTDG23YP
   Código: E02
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: MPT3
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros