DTDG23YP Todos los transistores

DTDG23YP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTDG23YP

Código: E02

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: MPT3

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