Биполярный транзистор DTDG23YP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTDG23YP
Маркировка: E02
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: MPT3
DTDG23YP Datasheet (PDF)
..1. Size:64K rohm
dtdg23yp.pdf
dtdg23yp.pdf
DTDG23YP Transistors 1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode) DTDG23YP Applications External dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver MPT34.51.5 Features 1.61) High DC current gain. (Min. 300 at VO / IO=2V / 0.5A) 2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at IO / II=500mA / 5mA) (1) (2) (3)3) Built-in zener diode gives strong protection aga
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
