Биполярный транзистор DTDG23YP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTDG23YP
Маркировка: E02
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: MPT3
DTDG23YP Datasheet (PDF)
..1. Size:64K rohm
dtdg23yp.pdf
dtdg23yp.pdf
DTDG23YP Transistors 1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode) DTDG23YP Applications External dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver MPT34.51.5 Features 1.61) High DC current gain. (Min. 300 at VO / IO=2V / 0.5A) 2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at IO / II=500mA / 5mA) (1) (2) (3)3) Built-in zener diode gives strong protection aga
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050