DTDG23YP - описание и поиск аналогов

 

DTDG23YP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTDG23YP

Маркировка: E02

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: MPT3

 Аналоги (замена) для DTDG23YP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTDG23YP даташит

 ..1. Size:64K  rohm
 dtdg23yp.pdf pdf_icon

DTDG23YP

DTDG23YP Transistors 1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode) DTDG23YP Applications External dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver MPT3 4.5 1.5 Features 1.6 1) High DC current gain. (Min. 300 at VO / IO=2V / 0.5A) 2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at IO / II=500mA / 5mA) (1) (2) (3) 3) Built-in zener diode gives strong protection aga

 ..2. Size:42K  rohm
 dtdg23yp e02 sot89.pdf pdf_icon

DTDG23YP

(96-294-B114

Другие транзисторы: DTD723YE, DTD723YM, DTD743EE, DTD743EM, DTD743XE, DTD743XM, DTD743ZE, DTD743ZM, 2222A, KT209B1, KT209V1, KT209Zh, KT220A9, KT220B9, KT220G9, KT220V9, KT3102ZhM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.