KT815V9 Todos los transistores

 

KT815V9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT815V9
   Código: КТ815В9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: KT-89

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KT815V9 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:696K  russia
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KT815V9

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
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KT815V9

isc Silicon NPN Power Transistor KT815A DESCRIPTION High Collector Current-I = 1.5A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

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