KT815V9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT815V9  📄📄 

Маркировка: КТ815В9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: KT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT815V9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT815V9 даташит

 9.1. Size:696K  russia
 kt815a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT815V9

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 kt815a.pdf pdf_icon

KT815V9

isc Silicon NPN Power Transistor KT815A DESCRIPTION High Collector Current-I = 1.5A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие транзисторы: KT8126B1, KT814A9, KT814B9, KT814G9, KT814V9, KT815A9, KT815B9, KT815G9, MJE340, KT816A9, KT816B9, KT816G9, KT816V9, KT8170A1, KT8170B1, KT817A9, KT817B9