2SC5150 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5150

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 1700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 700 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3PHIS

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2SC5150 datasheet

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2SC5150

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2SC5150

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5150 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1700V (Min) CBO High Switching Speed Low Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Horizontal deflection output for high resolution display, color TV High speed switchi

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2SC5150

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2SC5150

Ordering number EN4802 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5155 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Applications Applications Package Dimensions Various drivers. unit mm 2045B Features [2SC5155] 6.5 High current capacity. 2.3 5.0 0.5 4 Adoption of MBIT process. High DC current gain. Low collector-to-emitter saturation voltage. High VEBO. 0.8

Otros transistores... 2SC5003, 2SC5042, 2SC5048, 2SC5124, 2SC5129, 2SC5143, 2SC5148, 2SC5149, 2SB817, 2SC5241, 2SC5280, 2SC5296, 2SC5297, 2SC5299, 2SC5339, 2SC5382, 2SC5386