2SC5150 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5150
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 1700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3PHIS
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2SC5150 datasheet
2sc5150.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5150 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1700V (Min) CBO High Switching Speed Low Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Horizontal deflection output for high resolution display, color TV High speed switchi
2sc5155.pdf
Ordering number EN4802 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5155 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Applications Applications Package Dimensions Various drivers. unit mm 2045B Features [2SC5155] 6.5 High current capacity. 2.3 5.0 0.5 4 Adoption of MBIT process. High DC current gain. Low collector-to-emitter saturation voltage. High VEBO. 0.8
Otros transistores... 2SC5003, 2SC5042, 2SC5048, 2SC5124, 2SC5129, 2SC5143, 2SC5148, 2SC5149, 2SB817, 2SC5241, 2SC5280, 2SC5296, 2SC5297, 2SC5299, 2SC5339, 2SC5382, 2SC5386
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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