2SC5150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5150  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3PHIS

 Аналоги (замена) для 2SC5150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5150 даташит

 ..1. Size:210K  toshiba
 2sc5150.pdf pdf_icon

2SC5150

 ..2. Size:180K  inchange semiconductor
 2sc5150.pdf pdf_icon

2SC5150

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5150 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1700V (Min) CBO High Switching Speed Low Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Horizontal deflection output for high resolution display, color TV High speed switchi

 8.1. Size:198K  toshiba
 2sc5154.pdf pdf_icon

2SC5150

 8.2. Size:115K  sanyo
 2sc5155.pdf pdf_icon

2SC5150

Ordering number EN4802 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5155 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Applications Applications Package Dimensions Various drivers. unit mm 2045B Features [2SC5155] 6.5 High current capacity. 2.3 5.0 0.5 4 Adoption of MBIT process. High DC current gain. Low collector-to-emitter saturation voltage. High VEBO. 0.8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5003, 2SC5042, 2SC5048, 2SC5124, 2SC5129, 2SC5143, 2SC5148, 2SC5149, 2SB817, 2SC5241, 2SC5280, 2SC5296, 2SC5297, 2SC5299, 2SC5339, 2SC5382, 2SC5386