3CD6D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3CD6D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 110 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CD6D

3CD6D Datasheet (PDF)

..1. Size:188K inchange semiconductor
3cd6d.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD6DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -110V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h =10-180@I = -2.5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.5V(Max)@ I = -2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifierLow speed switchingP

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050