3CD6D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD6D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 110 V

Tensión colector-emisor (Vce): 110 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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3CD6D datasheet

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3CD6D

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD6D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -110V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h =10-180@I = -2.5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -1.5V(Max)@ I = -2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier Low speed switching P

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