3CD6D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD6D
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 110 V
Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
3CD6D Datasheet (PDF)
3cd6d.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD6DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -110V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h =10-180@I = -2.5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.5V(Max)@ I = -2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifierLow speed switchingP
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N284A | 2SC4462 | BSP62T1 | 2SC729 | 2N2745 | HPA150R-3 | 2SC3270M
History: 2N284A | 2SC4462 | BSP62T1 | 2SC729 | 2N2745 | HPA150R-3 | 2SC3270M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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