3CD6D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD6D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3CD6D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD6D даташит

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
 3cd6d.pdf pdf_icon

3CD6D

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD6D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -110V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h =10-180@I = -2.5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -1.5V(Max)@ I = -2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier Low speed switching P

Другие транзисторы: 2SD2579, 2SD2580, 2SD2586, 2SD2599, 2SD2634, 2SD5072, 2SD5075T, 2SD5702, BC337, 3DD200, 3DD201, 3DD207, 3DD301B, 3DD301C, 3DD301D, 3DD303A, 3DD303B