Биполярный транзистор 3CD6D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CD6D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
3CD6D Datasheet (PDF)
..1. Size:188K inchange semiconductor
3cd6d.pdf
3cd6d.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 3CD6DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -110V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h =10-180@I = -2.5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.5V(Max)@ I = -2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifierLow speed switchingP
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050