BUH417D Todos los transistores

 

BUH417D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUH417D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 55 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3PML
 

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BUH417D datasheet

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BUH417D

isc Silicon NPN Power Transistors BUH417D DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Integrated Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage

Otros transistores... BU2727AW , BU2727DF , BU508AW , BU508AX , BU508DW , BU508DX , BUF405AFP , BUH1015HI , TIP35C , BUH713 , BUH715AF , BUL6825 , BUT12AX , BUT56AF , BUW13AW , BUW13W , T06 .

History: 2N3408

 

 

 


 
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