BUH417D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUH417D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3PML

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUH417D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH417D даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 buh417d.pdf pdf_icon

BUH417D

isc Silicon NPN Power Transistors BUH417D DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Integrated Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage

Другие транзисторы: BU2727AW, BU2727DF, BU508AW, BU508AX, BU508DW, BU508DX, BUF405AFP, BUH1015HI, TIP35C, BUH713, BUH715AF, BUL6825, BUT12AX, BUT56AF, BUW13AW, BUW13W, T06