Биполярный транзистор BUH417D Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BUH417D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3PML
     - подбор биполярного транзистора по параметрам