BUT56AF Todos los transistores

 

BUT56AF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUT56AF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220FA
 

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BUT56AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
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BUT56AF

isc Silicon NPN Power Transistor BUT56AFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingHigh Power DissipationWith TO-220Fa Package100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching mode power supply applications.ABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:119K  inchange semiconductor
 but56 but56a.pdf pdf_icon

BUT56AF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT56 BUT56A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolut maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

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