BUT56AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT56AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220FA

 Аналоги (замена) для BUT56AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT56AF даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 but56af.pdf pdf_icon

BUT56AF

isc Silicon NPN Power Transistor BUT56AF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching High Power Dissipation With TO-220Fa Package 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply applications. ABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:119K  inchange semiconductor
 but56 but56a.pdf pdf_icon

BUT56AF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT56 BUT56A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolut maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

Другие транзисторы: BU508DX, BUF405AFP, BUH1015HI, BUH417D, BUH713, BUH715AF, BUL6825, BUT12AX, TIP127, BUW13AW, BUW13W, T06, T2141, T2141F, T2142, T2142F, T25