SC118 Todos los transistores

 

SC118 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SC118
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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SC118 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  gdr
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SC118

 0.1. Size:48K  fairchild semi
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SC118

KSC1187TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier(Forward AGC) High Current Gain Bandwidth Product : fT=700MHz High Power Gain : GPE=24dB (TYP.) at f=45MHzTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20

 0.2. Size:439K  infineon
 bsc118n10ns8 bsc118n10nsg.pdf pdf_icon

SC118

BSC118N10NS GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 11.8mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 71 AD Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperaturePG-TDSON-8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ide

 0.3. Size:73K  usha
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SC118

Transistors2SC1187

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