SC118 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SC118

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO18

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SC118 datasheet

 ..1. Size:123K  gdr
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SC118

 0.1. Size:48K  fairchild semi
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SC118

KSC1187 TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier (Forward AGC) High Current Gain Bandwidth Product fT=700MHz High Power Gain GPE=24dB (TYP.) at f=45MHz TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20

 0.2. Size:439K  infineon
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SC118

BSC118N10NS G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 11.8 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 71 A D Very low on-resistance R DS(on) 150 C operating temperature PG-TDSON-8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ide

 0.3. Size:73K  usha
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SC118

Transistors 2SC1187

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