SC118. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SC118

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для SC118

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SC118 даташит

 0.1. Size:48K  fairchild semi
ksc1187.pdfpdf_icon

SC118

KSC1187 TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier (Forward AGC) High Current Gain Bandwidth Product fT=700MHz High Power Gain GPE=24dB (TYP.) at f=45MHz TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20

 0.2. Size:439K  infineon
bsc118n10ns8 bsc118n10nsg.pdfpdf_icon

SC118

BSC118N10NS G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 11.8 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 71 A D Very low on-resistance R DS(on) 150 C operating temperature PG-TDSON-8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ide

 0.3. Size:73K  usha
2sc1187.pdfpdf_icon

SC118

Transistors 2SC1187

Другие транзисторы: S9015, S9015W, S9018, S9018W, SS8550B, STD123S, SC116, SC117, TIP31C, SC119, SC206, SC207, SC236, SC237, SC238, SC239, SC307