SD339 Todos los transistores

 

SD339 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SD339
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

SD339 Datasheet (PDF)

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SD339

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SD339

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD339DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 90V(Min)(BR) CEOExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 7.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpos

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History: SEMZ8 | KRA108S

 

 
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