SD339. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD339

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для SD339

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD339 даташит

 ..1. Size:303K  gdr
 sd335 sd337 sd339.pdf pdf_icon

SD339

 ..2. Size:123K  gdr
 sd168 sd335 sd336 sd337 sd338 sd339 sd340 sd345 sd346 sd347 sd348 sd349 sd350 sd600 sd601 sd602 sd802 sd812.pdf pdf_icon

SD339

 ..3. Size:148K  gdr
 sd335 sd336 sd337 sd338 sd339 sd340.pdf pdf_icon

SD339

 0.1. Size:197K  inchange semiconductor
 2sd339.pdf pdf_icon

SD339

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD339 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 90V(Min) (BR) CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 7.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SCE538, SCE539, SCE540, SD168, SD335, SD336, SD337, SD338, 8550, SD340, SD345, SD346, SD347, SD348, SD349, SD350, SD401