SD812 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SD812
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de SD812
SD812 Datasheet (PDF)
sd168 sd335 sd336 sd337 sd338 sd339 sd340 sd345 sd346 sd347 sd348 sd349 sd350 sd600 sd601 sd602 sd802 sd812.pdf

2sd812.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD812DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB747Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applications.Suitable for 15~20W home stereo output amplifier a
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History: KA4A4P | PMSTA56 | RCA1A15 | 3CG1979S | BD443A | 2SC4542 | D43CU6
History: KA4A4P | PMSTA56 | RCA1A15 | 3CG1979S | BD443A | 2SC4542 | D43CU6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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