SD812 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SD812

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 500

Encapsulados: TO3

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SD812 datasheet

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 sd168 sd335 sd336 sd337 sd338 sd339 sd340 sd345 sd346 sd347 sd348 sd349 sd350 sd600 sd601 sd602 sd802 sd812.pdf pdf_icon

SD812

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SD812

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SD812

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD812 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB747 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power amplifier applications. Suitable for 15 20W home stereo output amplifier a

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