SD812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD812

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SD812

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD812 даташит

 ..1. Size:123K  gdr
 sd168 sd335 sd336 sd337 sd338 sd339 sd340 sd345 sd346 sd347 sd348 sd349 sd350 sd600 sd601 sd602 sd802 sd812.pdf pdf_icon

SD812

 ..2. Size:336K  gdr
 sd168 sd600 sd601 sd602 sd802 sd812.pdf pdf_icon

SD812

 0.1. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd812.pdf pdf_icon

SD812

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD812 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB747 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power amplifier applications. Suitable for 15 20W home stereo output amplifier a

Другие транзисторы: SD457, SD458, SD459, SD460, SD600, SD601, SD602, SD802, S9018, SF016, SF018, SF116, SF117, SF118, SF119, SF121, SF122