BCP157 Todos los transistores

 

BCP157 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCP157
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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BCP157 datasheet

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BCP157

BCP157 PNP Silicon Elektronische Bauelemente Medium Power Transistor RoHS Compliant Product Features SOT-89 1. -60Volt V CEO 1.BASE 2. 3 Amp continuous current D 2.COLLECTOR D1 A 3. Low saturation voltage 3.EMITTER b1 Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO -80 V b C e Collector-emitter voltage VCEO -60

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BCP157

BCP156 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Planar High Performance Transistor RoHS Compliant Product SOT-89 Description The BCP156 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features * 3 Amp Continuous Current * 60 Volt VCEO * Low Saturation Voltage Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF

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History: GST2SC3356 | A684

 

 

 


 
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