BCP157 Todos los transistores

 

BCP157 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCP157
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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BCP157 Datasheet (PDF)

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BCP157

BCP157PNP Silicon Elektronische BauelementeMedium Power TransistorRoHS Compliant ProductFeaturesSOT-891. -60Volt V CEO1.BASE2. 3 Amp continuous currentD2.COLLECTOR D1 A3. Low saturation voltage3.EMITTER b1Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO -80 VbCeCollector-emitter voltage VCEO -60

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BCP157

BCP156NPN Silicon Elektronische BauelementePlanar High Performance TransistorRoHS Compliant ProductSOT-89DescriptionThe BCP156 is designed for general purposeswitching and amplifier applications.Features* 3 Amp Continuous Current* 60 Volt VCEO* Low Saturation VoltageMillimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF

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