BCP157 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCP157  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCP157

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCP157 даташит

 ..1. Size:211K  secos
 bcp157.pdf pdf_icon

BCP157

BCP157 PNP Silicon Elektronische Bauelemente Medium Power Transistor RoHS Compliant Product Features SOT-89 1. -60Volt V CEO 1.BASE 2. 3 Amp continuous current D 2.COLLECTOR D1 A 3. Low saturation voltage 3.EMITTER b1 Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO -80 V b C e Collector-emitter voltage VCEO -60

 9.1. Size:558K  secos
 bcp156.pdf pdf_icon

BCP157

BCP156 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Planar High Performance Transistor RoHS Compliant Product SOT-89 Description The BCP156 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features * 3 Amp Continuous Current * 60 Volt VCEO * Low Saturation Voltage Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF

Другие транзисторы: SS8550W, STB1277, UMX18N, 2SD2118, 3DD13005, B772C, BCP1213, BCP156, 2SD313, BCP1766, BCP1898, BCP195, BCP2098, BCP4672, BCP5401, BCP5551, BCP669A