Биполярный транзистор BCP157 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCP157
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
BCP157 Datasheet (PDF)
bcp157.pdf
BCP157PNP Silicon Elektronische BauelementeMedium Power TransistorRoHS Compliant ProductFeaturesSOT-891. -60Volt V CEO1.BASE2. 3 Amp continuous currentD2.COLLECTOR D1 A3. Low saturation voltage3.EMITTER b1Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO -80 VbCeCollector-emitter voltage VCEO -60
bcp156.pdf
BCP156NPN Silicon Elektronische BauelementePlanar High Performance TransistorRoHS Compliant ProductSOT-89DescriptionThe BCP156 is designed for general purposeswitching and amplifier applications.Features* 3 Amp Continuous Current* 60 Volt VCEO* Low Saturation VoltageMillimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: D62T6060 | P217B
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050