BCP157 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BCP157
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для BCP157
BCP157 - технические параметры
bcp157.pdf
BCP157 PNP Silicon Elektronische Bauelemente Medium Power Transistor RoHS Compliant Product Features SOT-89 1. -60Volt V CEO 1.BASE 2. 3 Amp continuous current D 2.COLLECTOR D1 A 3. Low saturation voltage 3.EMITTER b1 Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO -80 V b C e Collector-emitter voltage VCEO -60
bcp156.pdf
BCP156 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Planar High Performance Transistor RoHS Compliant Product SOT-89 Description The BCP156 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features * 3 Amp Continuous Current * 60 Volt VCEO * Low Saturation Voltage Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF
Другие транзисторы... SS8550W , STB1277 , UMX18N , 2SD2118 , 3DD13005 , B772C , BCP1213 , BCP156 , 2SD313 , BCP1766 , BCP1898 , BCP195 , BCP2098 , BCP4672 , BCP5401 , BCP5551 , BCP669A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor



