BCP669A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCP669A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 14 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT89

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BCP669A datasheet

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BCP669A

BCP669A 1 W, 1.5 A, 180 V NPN Epitaxial Planar Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product SOT-89 A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE 4 The BCP669A is designed for low frequency power amplifier. 1 2 3 A E C B D F G H K J L Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.40 4.60 G 0.40 0.58 B 3.94 4.25 H 1.50 TY

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