BCP669A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCP669A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BCP669A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCP669A даташит

 ..1. Size:372K  secos
 bcp669a.pdf pdf_icon

BCP669A

BCP669A 1 W, 1.5 A, 180 V NPN Epitaxial Planar Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product SOT-89 A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE 4 The BCP669A is designed for low frequency power amplifier. 1 2 3 A E C B D F G H K J L Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.40 4.60 G 0.40 0.58 B 3.94 4.25 H 1.50 TY

Другие транзисторы: BCP157, BCP1766, BCP1898, BCP195, BCP2098, BCP4672, BCP5401, BCP5551, 2SC945, BCP772, BCP869, BCP882, BCPA14, BCPA42, BCPA94, BD13003B, CZD1182