Биполярный транзистор BCP669A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCP669A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT89
BCP669A Datasheet (PDF)
..1. Size:372K secos
bcp669a.pdf
bcp669a.pdf
BCP669A 1 W, 1.5 A, 180 V NPN Epitaxial Planar Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product SOT-89 A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE 4The BCP669A is designed for low frequency power amplifier. 1 23AECB DF GH KJ LMillimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.40 4.60 G 0.40 0.58 B 3.94 4.25 H 1.50 TY
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050