CZD1182 Todos los transistores

 

CZD1182 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CZD1182
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CZD1182 datasheet

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CZD1182

CZD1182 PNP Silicon Elektronische Bauelemente General Purpose Transistor TO-252 6. 50 0. 15 2. 30 0. 10 5. 30 0. 10 FEATURES C 0. 51 0. 05 The CZD1182 is designed for medium power amplifier application Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.5V (Typ.) 1. 20 0. 51 0. 10 RoHS Compliant Product 0 10 0. 5 5 0. 80 0. 10 MARKING 1182 0. 60 10 0. 2. 30 0. 10

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