CZD1182 Todos los transistores

 

CZD1182 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CZD1182
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CZD1182 Datasheet (PDF)

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CZD1182

CZD1182PNP Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorTO-2526. 50 0. 152. 30 0. 10 5. 30 0. 10FEATURESC0. 51 0. 05 The CZD1182 is designed for medium power amplifier applicationLow collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.5V (Typ.)1. 200. 51 0. 10 RoHS Compliant Product0 10 0.550. 80 0. 10MARKING : 1182 0. 60 10 0.2. 30 0. 10

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History: DRAQA23E | 40361 | CENU01 | BF757 | BC847BWT1G | MRF5711 | D44H11E3

 

 
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