Биполярный транзистор CZD1182 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZD1182
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO252
CZD1182 Datasheet (PDF)
..1. Size:253K secos
czd1182.pdf
czd1182.pdf
CZD1182PNP Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorTO-2526. 50 0. 152. 30 0. 10 5. 30 0. 10FEATURESC0. 51 0. 05 The CZD1182 is designed for medium power amplifier applicationLow collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.5V (Typ.)1. 200. 51 0. 10 RoHS Compliant Product0 10 0.550. 80 0. 10MARKING : 1182 0. 60 10 0.2. 30 0. 10
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050