CZD1182. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZD1182

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для CZD1182

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZD1182 даташит

 ..1. Size:253K  secos
 czd1182.pdf pdf_icon

CZD1182

CZD1182 PNP Silicon Elektronische Bauelemente General Purpose Transistor TO-252 6. 50 0. 15 2. 30 0. 10 5. 30 0. 10 FEATURES C 0. 51 0. 05 The CZD1182 is designed for medium power amplifier application Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.5V (Typ.) 1. 20 0. 51 0. 10 RoHS Compliant Product 0 10 0. 5 5 0. 80 0. 10 MARKING 1182 0. 60 10 0. 2. 30 0. 10

Другие транзисторы: BCP669A, BCP772, BCP869, BCP882, BCPA14, BCPA42, BCPA94, BD13003B, 2N4401, CZD1386, CZD1952, CZD2983, CZD5103, CZD772, KSA928ATL, MMBT2222Q, MMBT2907Q