CZD5103 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CZD5103

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 210 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO252

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CZD5103 datasheet

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CZD5103

CZD5103 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Elektronische Bauelemente D-Pack (TO-252) DESCRIPTION The CZD5103 is designed for high speed switching applications. FEATURES A Low saturation voltage, typically VCE(sat)= 0.15V at IC/IB= 3A/0.15A C B D High speed switching, typically Tf = 0.1 s at IC= 3A Wide SOA G E Complements to CZD1952 K H F N O P

Otros transistores... BCPA14, BCPA42, BCPA94, BD13003B, CZD1182, CZD1386, CZD1952, CZD2983, D965, CZD772, KSA928ATL, MMBT2222Q, MMBT2907Q, PZT157, PZT158, PZT159, PZT194