CZD5103. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZD5103

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для CZD5103

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZD5103 даташит

 ..1. Size:468K  secos
 czd5103.pdf pdf_icon

CZD5103

CZD5103 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Elektronische Bauelemente D-Pack (TO-252) DESCRIPTION The CZD5103 is designed for high speed switching applications. FEATURES A Low saturation voltage, typically VCE(sat)= 0.15V at IC/IB= 3A/0.15A C B D High speed switching, typically Tf = 0.1 s at IC= 3A Wide SOA G E Complements to CZD1952 K H F N O P

Другие транзисторы: BCPA14, BCPA42, BCPA94, BD13003B, CZD1182, CZD1386, CZD1952, CZD2983, D965, CZD772, KSA928ATL, MMBT2222Q, MMBT2907Q, PZT157, PZT158, PZT159, PZT194