PZT5401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZT5401
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT223
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PZT5401 Datasheet (PDF)
pzt5401.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. PZT5401 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V * High current gain APPLICATIONS * Telephone Switching Circuit * Amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3 PZT5401L-x-AA3-R PZT5401G-x-AA
pzt5401.pdf
PZT5401PNP Epitaxial Planar TransistorCOLLECTOR2, 4 SOT-223P b Lead(Pb)-Free 41. BASEBASE2.COLLECTOR113.EMITTER24.COLLECTOR33EM ITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)Rating Symbol Value UnitVCBO -160 VCollector to Base VoltageVCEO V-150Collector to Emitter VoltageVCollector to Base Voltage VEBO -5IC(DC) -600 ACollector Current1.5Total Dev
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
