PZT5401 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZT5401
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SOT223
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PZT5401 datasheet
pzt5401.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. PZT5401 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage VCEO=-150V * High current gain APPLICATIONS * Telephone Switching Circuit * Amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3 PZT5401L-x-AA3-R PZT5401G-x-AA
pzt5401.pdf
PZT5401 PNP Epitaxial Planar Transistor COLLECTOR 2, 4 SOT-223 P b Lead(Pb)-Free 4 1. BASE BASE 2.COLLECTOR 1 1 3.EMITTER 2 4.COLLECTOR 3 3 EM ITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) Rating Symbol Value Unit VCBO -160 V Collector to Base Voltage VCEO V -150 Collector to Emitter Voltage V Collector to Base Voltage VEBO -5 IC(DC) -600 A Collector Current 1.5 Total Dev
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History: ECG78
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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