Справочник транзисторов. PZT5401

 

Биполярный транзистор PZT5401 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PZT5401
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для PZT5401

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT5401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  utc
 pzt5401.pdf pdf_icon

PZT5401

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. PZT5401 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V * High current gain APPLICATIONS * Telephone Switching Circuit * Amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3 PZT5401L-x-AA3-R PZT5401G-x-AA

 ..2. Size:326K  wietron
 pzt5401.pdf pdf_icon

PZT5401

PZT5401PNP Epitaxial Planar TransistorCOLLECTOR2, 4 SOT-223P b Lead(Pb)-Free 41. BASEBASE2.COLLECTOR113.EMITTER24.COLLECTOR33EM ITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)Rating Symbol Value UnitVCBO -160 VCollector to Base VoltageVCEO V-150Collector to Emitter VoltageVCollector to Base Voltage VEBO -5IC(DC) -600 ACollector Current1.5Total Dev

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GT109E | PXTA27 | 2SC4572 | SD1477 | 2SB1295-5 | PTE20124

 

 
Back to Top

 


 
.