WTD1386 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WTD1386  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: TO252

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WTD1386 datasheet

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WTD1386

WTD1386 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P b Lead(Pb)-Free 1.BASE 3 2.COLLECTOR 2 3.EMITTER 1 Features * Low VCE(sat) = -0.55(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) D-PAK(TO-252) * Excellent DC Current Gain Characteristics Mechanical Data * Case Molded Plastic * Weight 0.925 grams ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25 C) Rating Symbol Value Unit VCBO -30 V Collector to Base Voltage VCEO -2

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