WTD1386 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WTD1386
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar WTD1386

WTD1386 Datasheet (PDF)

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wtd1386.pdf

WTD1386PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORP b Lead(Pb)-Free1.BASE32.COLLECTOR23.EMITTER 1Features:* Low VCE(sat) = -0.55(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A)D-PAK(TO-252)* Excellent DC Current Gain CharacteristicsMechanical Data:* Case : Molded Plastic* Weight : 0.925 gramsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25C)Rating Symbol Value UnitVCBO-30 VCollector to Base VoltageVCEO-2

Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: TIP32E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050