WTD1386 Todos los transistores

 

WTD1386 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTD1386
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252

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WTD1386 Datasheet (PDF)

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WTD1386

WTD1386 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P b Lead(Pb)-Free 1.BASE 3 2.COLLECTOR 2 3.EMITTER 1 Features * Low VCE(sat) = -0.55(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) D-PAK(TO-252) * Excellent DC Current Gain Characteristics Mechanical Data * Case Molded Plastic * Weight 0.925 grams ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25 C) Rating Symbol Value Unit VCBO -30 V Collector to Base Voltage VCEO -2

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History: PMB1626 | TI414 | L9012QLT3G | BC350B | KT8213A | BC354 | 2SD1032B

 

 
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