Биполярный транзистор WTD1386 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: WTD1386
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO252
WTD1386 Datasheet (PDF)
..1. Size:178K wietron
wtd1386.pdf
wtd1386.pdf
WTD1386PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORP b Lead(Pb)-Free1.BASE32.COLLECTOR23.EMITTER 1Features:* Low VCE(sat) = -0.55(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A)D-PAK(TO-252)* Excellent DC Current Gain CharacteristicsMechanical Data:* Case : Molded Plastic* Weight : 0.925 gramsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25C)Rating Symbol Value UnitVCBO-30 VCollector to Base VoltageVCEO-2
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050