Справочник транзисторов. WTD1386

 

Биполярный транзистор WTD1386 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: WTD1386
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: TO252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

WTD1386 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  wietron
 wtd1386.pdf pdf_icon

WTD1386

WTD1386PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORP b Lead(Pb)-Free1.BASE32.COLLECTOR23.EMITTER 1Features:* Low VCE(sat) = -0.55(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A)D-PAK(TO-252)* Excellent DC Current Gain CharacteristicsMechanical Data:* Case : Molded Plastic* Weight : 0.925 gramsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25C)Rating Symbol Value UnitVCBO-30 VCollector to Base VoltageVCEO-2

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BUS23A | ET5253 | D64DS7 | FXT655 | NR421FE | 2SC941

 

 
Back to Top

 


 
.