WTD1386 - описание и поиск аналогов

 

WTD1386. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WTD1386

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для WTD1386

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WTD1386 даташит

 ..1. Size:178K  wietron
 wtd1386.pdf pdf_icon

WTD1386

WTD1386 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P b Lead(Pb)-Free 1.BASE 3 2.COLLECTOR 2 3.EMITTER 1 Features * Low VCE(sat) = -0.55(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) D-PAK(TO-252) * Excellent DC Current Gain Characteristics Mechanical Data * Case Molded Plastic * Weight 0.925 grams ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25 C) Rating Symbol Value Unit VCBO -30 V Collector to Base Voltage VCEO -2

Другие транзисторы: S9015LT1, SS8050LT1, SS8550LT1, W4401DW, W4413DW, W4501DW, W4601DW, WTA8921, B772, WTD772, WTD882, WTM1624, WTM1766, WTM1797, WTM2222A, WTM2907A, WTM3904

 

 

 

 

↑ Back to Top
.