WTM5551 Todos los transistores

 

WTM5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTM5551
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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WTM5551 Datasheet (PDF)

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WTM5551

WTM5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORP b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER 123Features:SOT-89* Switching and amplification in high Voltage Applications such as Telephony.* Low Current(Max. 600mA)* High Voltage(Max. 180V)Mechanical Data:* Case : Molded PlasticABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25C Unless Otheerwise Noted)Rating Symbol Value UnitVCBO180

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History: 2SB1132-R

 

 
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