WTM5551 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTM5551
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SOT-89
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WTM5551 datasheet
wtm5551.pdf
WTM5551 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Features SOT-89 * Switching and amplification in high Voltage Applications such as Telephony. * Low Current(Max. 600mA) * High Voltage(Max. 180V) Mechanical Data * Case Molded Plastic ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25 C Unless Otheerwise Noted) Rating Symbol Value Unit VCBO 180
Otros transistores... WTD882 , WTM1624 , WTM1766 , WTM1797 , WTM2222A , WTM2907A , WTM3904 , WTM3906 , 2SD2499 , WTM649A , WTM669A , WTM772 , WTM882 , WTMA44 , WTP772BCE , WTP772-ECB , WTP882 .
History: BC858BLT1 | 2SB1203T | 2N5892
History: BC858BLT1 | 2SB1203T | 2N5892
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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