WTM5551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WTM5551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для WTM5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WTM5551 даташит

 ..1. Size:203K  wietron
 wtm5551.pdf pdf_icon

WTM5551

WTM5551 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Features SOT-89 * Switching and amplification in high Voltage Applications such as Telephony. * Low Current(Max. 600mA) * High Voltage(Max. 180V) Mechanical Data * Case Molded Plastic ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25 C Unless Otheerwise Noted) Rating Symbol Value Unit VCBO 180

Другие транзисторы: WTD882, WTM1624, WTM1766, WTM1797, WTM2222A, WTM2907A, WTM3904, WTM3906, 2SD2499, WTM649A, WTM669A, WTM772, WTM882, WTMA44, WTP772BCE, WTP772-ECB, WTP882