Справочник транзисторов. WTM5551

 

Биполярный транзистор WTM5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: WTM5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

WTM5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  wietron
 wtm5551.pdf pdf_icon

WTM5551

WTM5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORP b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER 123Features:SOT-89* Switching and amplification in high Voltage Applications such as Telephony.* Low Current(Max. 600mA)* High Voltage(Max. 180V)Mechanical Data:* Case : Molded PlasticABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25C Unless Otheerwise Noted)Rating Symbol Value UnitVCBO180

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: DTC123E | BSW75 | BSW81 | DMC96400 | 2SD1011 | R340

 

 
Back to Top

 


 
.