WTM649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTM649A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de WTM649A
WTM649A Datasheet (PDF)
wtm649a.pdf

WTM649APNP Epitaxial Planar TransistorsSOT-89P b Lead(Pb)-Free121. BASE32. COLLECTOR3. EMITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C)Rating Symbol Limits UnitVCBO VCollector-Base Voltage-180VCEOVCollector-Emitter Voltage -160VEBOVEmitter-Base Voltage -5IC(DC)-1.5Collector CurrentAIC(Pulse) -3Collector Power Dissipation PD 1 WJunction Temperature
Otros transistores... WTM1624 , WTM1766 , WTM1797 , WTM2222A , WTM2907A , WTM3904 , WTM3906 , WTM5551 , 2SC2625 , WTM669A , WTM772 , WTM882 , WTMA44 , WTP772BCE , WTP772-ECB , WTP882 , WTS772 .
History: 2SC507Y | FZT1147A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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