WTM649A - описание и поиск аналогов

 

WTM649A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WTM649A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для WTM649A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WTM649A даташит

 ..1. Size:399K  wietron
 wtm649a.pdf pdf_icon

WTM649A

WTM649A PNP Epitaxial Planar Transistors SOT-89 P b Lead(Pb)-Free 1 2 1. BASE 3 2. COLLECTOR 3. EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) Rating Symbol Limits Unit VCBO V Collector-Base Voltage -180 VCEO V Collector-Emitter Voltage -160 VEBO V Emitter-Base Voltage -5 IC(DC) -1.5 Collector Current A IC(Pulse) -3 Collector Power Dissipation PD 1 W Junction Temperature

Другие транзисторы: WTM1624, WTM1766, WTM1797, WTM2222A, WTM2907A, WTM3904, WTM3906, WTM5551, 2SC2625, WTM669A, WTM772, WTM882, WTMA44, WTP772BCE, WTP772-ECB, WTP882, WTS772

 

 

 

 

↑ Back to Top
.