KTA501E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTA501E  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TESV

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KTA501E datasheet

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KTA501E

SEMICONDUCTOR KTA501E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B B1 FEATURES A super-minimold package houses 2 transistor. Excellent temperature response between these 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + High pairing property in hFE. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 The follwing characteristics are commo

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KTA501E

SEMICONDUCTOR KTA501U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B FEATURES B1 A super-minimold package houses 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Excellent temperature response between these 2 transistor. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 High pairing property in hFE. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 The follwin

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KTA501E

SMD Type Transistors PNP Transistors KTA501U SOT-353 Unit mm +0.1 1.3 -0.1 0.65 Features Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2. +0.1 0.1+0.05 0.3 -0.1 -0.02 5 4 2.1+0.1 -0.1 1. Q1 BASE 2. Q , Q EMITTER 1 2 3. Q BASE 2 Q1 Q2 4. Q COLLECTOR 2 5. Q COL

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