KTB1260 Todos los transistores

 

KTB1260 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB1260
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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KTB1260 Datasheet (PDF)

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KTB1260

SEMICONDUCTOR KTB1260TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURESAC1W (Mounted on Ceramic Substrate).HSmall Flat Package. GComplementary to KTD1898. DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXD _+D B 2.50 0.20K C 1.70 MAXD 0.45+0.15/-0.10MAXIMUM RATING (Ta=25 )F FE 4.25 MAX_+F 1.50 0.10CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITG 0.40

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KTB1260

SEMICONDUCTOR KTB1241TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. B DFEATURE High Breakdown Voltage and High Current: VCEO=-80V, IC=-1A.DIM MILLIMETERSP Low VCE(sat)DEPTH:0.2A 7.20 MAX Complementary to KTD1863. B 5.20 MAXCC 0.60 MAXSD 2.50 MAXQE 1.15 MAXKF 1.27G 1.70 MAXH 0.55 MAXFF_MAXIMUM RATING (Ta=25 ) J 14.00 +

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KTB1260

SEMICONDUCTOR KTB1234TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORDRIVER APPLICATIONS.FEATURES EBAF amplifier, solenoid drivers, LED drivers. KDIM MILLIMETERSDarlington connection._A 2.9 + 0.2B 1.6+0.2/-0.1High DC current gain._C 0.70 + 0.0523Very small-sized package permitting sets to be made_D 0.4 + 0.1E 2.8+0.2/-0.3smaller and slimer._F 1.9 + 0

Otros transistores... KTA712E , KTA712U , KTA733 , KTA733B , KTB1124 , KTB1151 , KTB1234T , KTB1241 , D209L , KTB1772 , KTB2234 , KTB2510 , KTB2530 , KTB598 , KTB631K , KTB688B , KTB764 .

History: MMS9013-H | MP36A

 

 
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