KTB2530 Todos los transistores

 

KTB2530 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB2530
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15000
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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KTB2530 Datasheet (PDF)

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KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2530TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERDARLINGTON APPLICATION.AQ BNO KFEATURESDIM MILLIMETERSComplementary to KTD1530 _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20_G 3.50 + 0.20D _

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KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2510TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERA Q BDARLINGTON APPLICATION.KFEATURESComplementary to KTD1510DIM MILLIMETERSRecommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25)G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL

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