KTB2530 - описание и поиск аналогов

 

KTB2530 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KTB2530
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15000
   Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для KTB2530

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB2530 - технические параметры

 ..1. Size:646K  kec
 ktb2530.pdf pdf_icon

KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2530 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON APPLICATION. A Q B N O K FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to KTD1530 _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 _ G 3.50 + 0.20 D _

 9.1. Size:341K  kec
 ktb2510.pdf pdf_icon

KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2510 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER A Q B DARLINGTON APPLICATION. K FEATURES Complementary to KTD1510 DIM MILLIMETERS Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL

Другие транзисторы... KTB1124 , KTB1151 , KTB1234T , KTB1241 , KTB1260 , KTB1772 , KTB2234 , KTB2510 , 2SC945 , KTB598 , KTB631K , KTB688B , KTB764 , KTB772 , KTB817B , KTB985 , KTC1815 .

 

 
Back to Top

 


 
.