Справочник транзисторов. KTB2530

 

Биполярный транзистор KTB2530 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTB2530
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15000
   Корпус транзистора: TO3PN
 

 Аналог (замена) для KTB2530

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB2530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  kec
 ktb2530.pdf pdf_icon

KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2530TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERDARLINGTON APPLICATION.AQ BNO KFEATURESDIM MILLIMETERSComplementary to KTD1530 _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20_G 3.50 + 0.20D _

 9.1. Size:341K  kec
 ktb2510.pdf pdf_icon

KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2510TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIERA Q BDARLINGTON APPLICATION.KFEATURESComplementary to KTD1510DIM MILLIMETERSRecommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25)G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL

Другие транзисторы... KTB1124 , KTB1151 , KTB1234T , KTB1241 , KTB1260 , KTB1772 , KTB2234 , KTB2510 , 2SC2655 , KTB598 , KTB631K , KTB688B , KTB764 , KTB772 , KTB817B , KTB985 , KTC1815 .

 

 
Back to Top

 


 
.