KTB2530 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTB2530  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15000

Корпус транзистора: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTB2530

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB2530 даташит

 ..1. Size:646K  kec
 ktb2530.pdf pdf_icon

KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2530 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON APPLICATION. A Q B N O K FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to KTD1530 _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 _ G 3.50 + 0.20 D _

 9.1. Size:341K  kec
 ktb2510.pdf pdf_icon

KTB2530

SEMICONDUCTOR KTB2510 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER A Q B DARLINGTON APPLICATION. K FEATURES Complementary to KTD1510 DIM MILLIMETERS Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL

Другие транзисторы: KTB1124, KTB1151, KTB1234T, KTB1241, KTB1260, KTB1772, KTB2234, KTB2510, B772, KTB598, KTB631K, KTB688B, KTB764, KTB772, KTB817B, KTB985, KTC1815