KTB817B Todos los transistores

 

KTB817B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB817B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3PN-E
 

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KTB817B Datasheet (PDF)

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KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B.Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -160 VCollector-Base VoltageVCEO -140 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltage -6 VICDC -12C

 8.1. Size:392K  kec
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KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q BKFEATURES Complementary to KTD1047.Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

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History: MJE2480 | 2SC2596 | 2SC3203 | ECG235 | 2SC2613K | 2SB1016O | MP1543

 

 
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