KTB817B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTB817B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 300 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO3PN-E

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KTB817B datasheet

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KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817B TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B. Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -160 V Collector-Base Voltage VCEO -140 V Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC DC -12 C

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KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Complementary to KTD1047. Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

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