KTB817B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTB817B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3PN-E

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTB817B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB817B даташит

 ..1. Size:688K  kec
 ktb817b.pdf pdf_icon

KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817B TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B. Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -160 V Collector-Base Voltage VCEO -140 V Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC DC -12 C

 8.1. Size:392K  kec
 ktb817.pdf pdf_icon

KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Complementary to KTD1047. Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

Другие транзисторы: KTB2234, KTB2510, KTB2530, KTB598, KTB631K, KTB688B, KTB764, KTB772, 13005, KTB985, KTC1815, KTC2020D, KTC2020L, KTC2022D, KTC2022L, KTC2025D, KTC2025L