Справочник транзисторов. KTB817B

 

Биполярный транзистор KTB817B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTB817B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3PN-E
 

 Аналог (замена) для KTB817B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB817B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  kec
 ktb817b.pdf pdf_icon

KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES Complementary to KTD1047B.Recommended for 60W Audio Frequency Amplifier Output Stage.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -160 VCollector-Base VoltageVCEO -140 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltage -6 VICDC -12C

 8.1. Size:392K  kec
 ktb817.pdf pdf_icon

KTB817B

SEMICONDUCTOR KTB817TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q BKFEATURES Complementary to KTD1047.Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

Другие транзисторы... KTB2234 , KTB2510 , KTB2530 , KTB598 , KTB631K , KTB688B , KTB764 , KTB772 , S9013 , KTB985 , KTC1815 , KTC2020D , KTC2020L , KTC2022D , KTC2022L , KTC2025D , KTC2025L .

History: 2SB1016O | 2N1632 | ECG235 | 2SC2613K | 2SC3203

 

 
Back to Top

 


 
.