KTD1347 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTD1347
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO92L
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KTD1347 datasheet
ktd1347.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1347 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT B D FEATURES Adoption of MBIT processes. DIM MILLIMETERS P Low collector-to-emitter saturation voltage. DEPTH 0.2 A 7.20 MAX Fast switching speed. B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S Large current capacity and wide ASO. D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX
ktd1304.pdf
KTD1304 0.3 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES High emitter-base voltage VEBO=12V(Min) low on resistance Ron=0.6 (max)(IB=1mA) PACKAGE DIMENSIONS SOT-23 Collector 3 Dim Min Max A 2.800 3.040 1 Base B 1.200 1.400 2 Emitter C 0.890 1.110 D
ktd1303.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1303 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR AUDIO MUTING APPLICATION. FEATURES B High Emitter-Base Voltage VEBO=12V(Min.). High Reverse hFE Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA). DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Low on Resistance RON=0.6 (Typ.) (IB=1mA). H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00 0.50 H 0.60 MAX
ktd1302.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1302 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR AUDIO MUTING APPLICATION. B C FEATURES High Emitter-Base Voltage VEBO=12V(Min.). High Reverse hFE Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA). N DIM MILLIMETERS Low on Resistance RON=0.6 (Typ.) (IB=1mA). A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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