KTD1347 Todos los transistores

 

KTD1347 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTD1347
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92L
 

 Búsqueda de reemplazo de KTD1347

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KTD1347 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  kec
ktd1347.pdf pdf_icon

KTD1347

SEMICONDUCTOR KTD1347TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTB DFEATURES Adoption of MBIT processes.DIM MILLIMETERSP Low collector-to-emitter saturation voltage.DEPTH:0.2A 7.20 MAX Fast switching speed. B 5.20 MAXCC 0.60 MAXS Large current capacity and wide ASO.D 2.50 MAXQE 1.15 MAX

 9.1. Size:244K  secos
ktd1304.pdf pdf_icon

KTD1347

KTD1304 0.3 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES High emitter-base voltage: VEBO=12V(Min) low on resistance: Ron=0.6(max)(IB=1mA) PACKAGE DIMENSIONS SOT-23Collector3Dim Min MaxA 2.800 3.0401BaseB 1.200 1.4002EmitterC 0.890 1.110D

 9.2. Size:496K  kec
ktd1303.pdf pdf_icon

KTD1347

SEMICONDUCTOR KTD1303TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.FEATURESBHigh Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.).High Reverse hFE: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXLow on Resistance :RON=0.6(Typ.) (IB=1mA).HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX_D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.00 0.50H 0.60 MAX

 9.3. Size:70K  kec
ktd1302.pdf pdf_icon

KTD1347

SEMICONDUCTOR KTD1302TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.B CFEATURES High Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.). High Reverse hFE: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).N DIM MILLIMETERS Low on Resistance :RON=0.6 (Typ.) (IB=1mA).A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85MAXIMUM RATING (Ta=25 )H 0.45

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MJ10005P | DK151 | BUV98AV

 

 
Back to Top

 


 
.