KTD1347. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD1347

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92L

 Аналоги (замена) для KTD1347

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1347 даташит

 ..1. Size:87K  kec
ktd1347.pdfpdf_icon

KTD1347

SEMICONDUCTOR KTD1347 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT B D FEATURES Adoption of MBIT processes. DIM MILLIMETERS P Low collector-to-emitter saturation voltage. DEPTH 0.2 A 7.20 MAX Fast switching speed. B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S Large current capacity and wide ASO. D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX

 9.1. Size:244K  secos
ktd1304.pdfpdf_icon

KTD1347

KTD1304 0.3 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES High emitter-base voltage VEBO=12V(Min) low on resistance Ron=0.6 (max)(IB=1mA) PACKAGE DIMENSIONS SOT-23 Collector 3 Dim Min Max A 2.800 3.040 1 Base B 1.200 1.400 2 Emitter C 0.890 1.110 D

 9.2. Size:496K  kec
ktd1303.pdfpdf_icon

KTD1347

SEMICONDUCTOR KTD1303 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR AUDIO MUTING APPLICATION. FEATURES B High Emitter-Base Voltage VEBO=12V(Min.). High Reverse hFE Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA). DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Low on Resistance RON=0.6 (Typ.) (IB=1mA). H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00 0.50 H 0.60 MAX

 9.3. Size:70K  kec
ktd1302.pdfpdf_icon

KTD1347

SEMICONDUCTOR KTD1302 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR AUDIO MUTING APPLICATION. B C FEATURES High Emitter-Base Voltage VEBO=12V(Min.). High Reverse hFE Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA). N DIM MILLIMETERS Low on Resistance RON=0.6 (Typ.) (IB=1mA). A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45

Другие транзисторы: KTC9014S, KTC9015S, KTC9016S, KTC9018S, KTC945, KTC945B, KTD1003, KTD1047B, 2SC5200, KTD1411, KTD1415V, KTD1510, KTD1530, KTD1624, KTD1691, KTD1824, KTD1824E