Биполярный транзистор KTD1347 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KTD1347
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92L
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KTD1347 Datasheet (PDF)
ktd1347.pdf

SEMICONDUCTOR KTD1347TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTB DFEATURES Adoption of MBIT processes.DIM MILLIMETERSP Low collector-to-emitter saturation voltage.DEPTH:0.2A 7.20 MAX Fast switching speed. B 5.20 MAXCC 0.60 MAXS Large current capacity and wide ASO.D 2.50 MAXQE 1.15 MAX
ktd1304.pdf

KTD1304 0.3 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES High emitter-base voltage: VEBO=12V(Min) low on resistance: Ron=0.6(max)(IB=1mA) PACKAGE DIMENSIONS SOT-23Collector3Dim Min MaxA 2.800 3.0401BaseB 1.200 1.4002EmitterC 0.890 1.110D
ktd1303.pdf

SEMICONDUCTOR KTD1303TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.FEATURESBHigh Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.).High Reverse hFE: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXLow on Resistance :RON=0.6(Typ.) (IB=1mA).HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX_D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.00 0.50H 0.60 MAX
ktd1302.pdf

SEMICONDUCTOR KTD1302TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.B CFEATURES High Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.). High Reverse hFE: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).N DIM MILLIMETERS Low on Resistance :RON=0.6 (Typ.) (IB=1mA).A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85MAXIMUM RATING (Ta=25 )H 0.45
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: K2112A | MMUN2235L | D62T5040 | D33J24 | BDW39 | BSP32T1 | KT8121A-2
History: K2112A | MMUN2235L | D62T5040 | D33J24 | BDW39 | BSP32T1 | KT8121A-2



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet