KTD1530 Todos los transistores

 

KTD1530 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTD1530
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15000
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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KTD1530 datasheet

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KTD1530

SEMICONDUCTOR KTD1530 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON TRANSISTOR. A Q B N O K FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to KTB2530. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 _ G 3.50 + 0.20 D _

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KTD1530

SEMICONDUCTOR KTD1510 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER A Q B DARLINGTON TRANSISTOR. K FEATURES Complementary to KTB2510. DIM MILLIMETERS Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL

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