KTD1530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD1530

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15000

Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для KTD1530

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1530 даташит

 ..1. Size:644K  kec
 ktd1530.pdf pdf_icon

KTD1530

SEMICONDUCTOR KTD1530 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON TRANSISTOR. A Q B N O K FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to KTB2530. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Recommended for 80W Audio Amplifier Output Stage. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 _ G 3.50 + 0.20 D _

 9.1. Size:339K  kec
 ktd1510.pdf pdf_icon

KTD1530

SEMICONDUCTOR KTD1510 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER A Q B DARLINGTON TRANSISTOR. K FEATURES Complementary to KTB2510. DIM MILLIMETERS Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL

Другие транзисторы: KTC945, KTC945B, KTD1003, KTD1047B, KTD1347, KTD1411, KTD1415V, KTD1510, 2N2222, KTD1624, KTD1691, KTD1824, KTD1824E, KTD1854T, KTD1863, KTD1882, KTD2686