KTX111T Todos los transistores

 

KTX111T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX111T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7(13) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TS6

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KTX111T Datasheet (PDF)

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KTX111T

SEMICONDUCTOR KTX111T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. E FEATURES K B K Including two devices in TS6. DIM MILLIMETERS _ (Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify circuit design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2

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KTX111T

SEMICONDUCTOR KTX112T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. E FEATURES K B K Including two devices in TS6. DIM MILLIMETERS _ (Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify circuit design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2

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