Справочник транзисторов. KTX111T

 

Биполярный транзистор KTX111T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTX111T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7(13) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TS6
 

 Аналог (замена) для KTX111T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX111T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  kec
 ktx111t.pdf pdf_icon

KTX111T

SEMICONDUCTOR KTX111TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2

 9.1. Size:409K  kec
 ktx112t.pdf pdf_icon

KTX111T

SEMICONDUCTOR KTX112TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: T1670 | TIP142 | L9012QLT1G | TI885 | MMBT9012

 

 
Back to Top

 


 
.