KTX111T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTX111T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7(13) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTX111T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX111T даташит

 ..1. Size:64K  kec
 ktx111t.pdf pdf_icon

KTX111T

SEMICONDUCTOR KTX111T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. E FEATURES K B K Including two devices in TS6. DIM MILLIMETERS _ (Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify circuit design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2

 9.1. Size:409K  kec
 ktx112t.pdf pdf_icon

KTX111T

SEMICONDUCTOR KTX112T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. E FEATURES K B K Including two devices in TS6. DIM MILLIMETERS _ (Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify circuit design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2

Другие транзисторы: KTN2369AU, KTN2907AE, KTN2907AU, KTX101E, KTX101U, KTX102E, KTX102U, KTX103E, 2SC2073, KTX112T, KTX201E, KTX201U, KTX215E, KTX216U, KTX301E, KTX301U, KTX302U