KTX112T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTX112T

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 19 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TS6

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KTX112T datasheet

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KTX112T

SEMICONDUCTOR KTX112T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. E FEATURES K B K Including two devices in TS6. DIM MILLIMETERS _ (Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify circuit design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2

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KTX112T

SEMICONDUCTOR KTX111T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. E FEATURES K B K Including two devices in TS6. DIM MILLIMETERS _ (Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify circuit design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2

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