KTX112T Todos los transistores

 

KTX112T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX112T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 19 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TS6
 

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KTX112T Datasheet (PDF)

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KTX112T

SEMICONDUCTOR KTX112TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2

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KTX112T

SEMICONDUCTOR KTX111TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2

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