KTX112T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTX112T
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 19 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TS6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTX112T
KTX112T Datasheet (PDF)
ktx112t.pdf
SEMICONDUCTOR KTX112TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2
ktx111t.pdf
SEMICONDUCTOR KTX111TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD1805E
History: 2SD1805E
Liste
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