Биполярный транзистор KTX112T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTX112T
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TS6
KTX112T Datasheet (PDF)
ktx112t.pdf
SEMICONDUCTOR KTX112TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2
ktx111t.pdf
SEMICONDUCTOR KTX111TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.EFEATURESK B KIncluding two devices in TS6.DIM MILLIMETERS_(Thin Super Mini type with 6 pin) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Simplify circuit design. _C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.2
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050